SOI是指将一薄层硅置于一绝缘衬底上。晶体管将在称之为'SOI' 的薄层硅上制备。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流，提高开关速度，降低功耗，实现高速、低功耗运行。作为下一代硅基集成电路技术，SOI广泛应用于微电子的大多数领域，同时还在光电子、MEMS等其它领域得到应用。
公司能够提供100mm, 125mm, 150mm以及200mm圆片及其外延片。产品系列包括Simbond,键合圆片，高剂量和低剂量SIMOX圆片，并可根据用户需求外延到所需的表层硅厚度。此外，公司还向用户提供顶层硅小于50nm的超薄SIMOX系列和用于RF系统集成用的高阻SIMOX圆片。
顶层硅的厚度可根据应用的不同而变化。借助精密仪器，键合技术以及外延设备，顶层硅最薄可达20纳米，最厚可至几十微米或更多。一个更厚的顶层硅对光通讯及MEMS器件尤其重要。
产品规格说明
外形尺寸
4"、5"、6"、8"
工艺
Smart cut; Bonding; SIMOX
类型
N/P
电阻率
可定制
顶层单晶厚度
0.22～50µm
埋氧层厚度
0.4～4µm
基底层厚度
100～500µm
TTV
< 3µm
Paritlce
<10@0.3µm
SOI圆片主要有以下特点：
1.提高运行速度
在特定的电压下，建在SOI材料上电路的运行速度比建在普通硅材料上电路的速度提高百分之30%，这极大地提高了微处理器和其它装置的性能。
2.降低能量损耗
SOI材料能降低近30%-70%的能量消耗，特别适用于对能量消耗比较高的领域。
3.改进运行性能
SOI材料能承受高达350摄氏度甚至500摄氏度的高温，对那些在恶劣环境下必须运转良好的设备特别适用。
4.减小封装尺寸
SOI材料能满足IC制造商对产品越来越小的要求。
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