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产品信息: 名称:垂直石墨烯负载氧化钼阵列 尺寸: 不超过宽度2厘米´长度2厘米 厚度:石墨烯片层厚度5-8 nm,阵列厚度500纳米-1微米 制备方法: PECVD+电沉积 储存条件:常温干燥 纯度:99.9% 应用领域:储能催化、柔性电子、力学、吸附、光电化学、分析化学等。 备注:垂直石墨烯片负载氧化钼,形成核壳阵列 电镜照片仅供参考:
产品信息:
名称:垂直石墨烯负载氧化钼阵列
尺寸: 不超过宽度2厘米´长度2厘米
厚度:石墨烯片层厚度5-8 nm,阵列厚度500纳米-1微米
制备方法: PECVD+电沉积
储存条件:常温干燥
纯度:99.9%
应用领域:储能催化、柔性电子、力学、吸附、光电化学、分析化学等。
备注:垂直石墨烯片负载氧化钼,形成核壳阵列
电镜照片仅供参考:
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