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氮化镓GaN纳米阵列材料
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氮化镓GaN纳米阵列材料

  • 区间价格:¥1500元
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产品信息:

名称:氮化镓GaN纳米阵列材料

直径:50~500 nm

尺寸:10*10 mm2

制备方法:气相沉积

储存条件:常温干燥

纯度:99%

应用领域:储能催化、柔性电子、力学、吸附、光电化学、分析化学等。

备注:生长取向:c轴([0001]方向);阵列长度:5~20 um;晶体质量:单晶;发光波长:365-390 nm;催化剂:有

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